AUIRF7675M2TR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AUIRF7675M2TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
Аналог (замена) для AUIRF7675M2TR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AUIRF7675M2TR даташит
auirf7675m2tr.pdf
PD -97552 AUIRF7675M2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7675M2TR1 DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS Optimized for Class D Audio Amplifier Applications 150V Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 47m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 56m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 1.2 Low Parasitic In
auirf7675m2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7675M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 150V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 47m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 56m Low Qrr for Better THD and Lower EMI Rg (typical) 1.2 Low Parasiti
auirf7665s2tr.pdf
PD - 96286B AUIRF7665S2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR1 DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low P
auirf7647s2tr1.pdf
PD - 97537A AUIRF7647S2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7647S2TR1 DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 26m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 31m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 1.6 Low Par
Другие IGBT... AUIRF6218S, AUIRF7313Q, AUIRF7484Q, AUIRF7640S2TR, AUIRF7647S2TR1, AUIRF7648M2TR1, AUIRF7665S2TR, AUIRF7669L2TR1, 2N60, AUIRF7732S2TR, AUIRF7734M2, AUIRF7736M2TR1, AUIRF7737L2TR1, AUIRF7738L2TR, AUIRF7739L2TR, AUIRF7759L2, AUIRF7769L2
History: AUIRF7736M2TR1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710











