Справочник MOSFET. SDF4NA100SXH

 

SDF4NA100SXH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SDF4NA100SXH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 55(max) nC
   Время нарастания (tr): 20(max) ns
   Выходная емкость (Cd): 115 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для SDF4NA100SXH

 

 

SDF4NA100SXH Datasheet (PDF)

 5.1. Size:68K  solitron
sdf4na100.pdf

SDF4NA100SXH

 9.1. Size:166K  solitron
sdf4n90.pdf

SDF4NA100SXH

 9.2. Size:168K  solitron
sdf4n100.pdf

SDF4NA100SXH

 9.3. Size:165K  solitron
sdf4n60.pdf

SDF4NA100SXH

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top