SDF50NA20GBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF50NA20GBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 230(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 180(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: NA

Другие MOSFET... SDF4N100JAA , SDF4N100JAB , SDF4N60 , SDF4N90JAA , SDF4N90JAB , SDF4NA100 , SDF4NA100SXH , SDF50N40JAM , IRFZ44N , SDF5N100JAA , SDF5N100JAB , SDF6N60JAA , SDF6N60JAB , SDF6N90 , SDF6NA100SXH , SDF75NA20GBN , SDF85NA50HI .