SDF50NA20GBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF50NA20GBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: NA

Аналог (замена) для SDF50NA20GBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF50NA20GBF даташит

 5.1. Size:143K  solitron
 sdf50na20.pdf pdf_icon

SDF50NA20GBF

 8.1. Size:149K  solitron
 sdf50n40.pdf pdf_icon

SDF50NA20GBF

Другие IGBT... SDF4N100JAA, SDF4N100JAB, SDF4N60, SDF4N90JAA, SDF4N90JAB, SDF4NA100, SDF4NA100SXH, SDF50N40JAM, IRFZ44N, SDF5N100JAA, SDF5N100JAB, SDF6N60JAA, SDF6N60JAB, SDF6N90, SDF6NA100SXH, SDF75NA20GBN, SDF85NA50HI