AUIRFR4104TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFR4104TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AUIRFR4104TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFR4104TR даташит

 ..1. Size:317K  international rectifier
auirfr4104tr.pdfpdf_icon

AUIRFR4104TR

PD - 97452A AUIRFR4104 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU4104 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 5.5m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 119A Lead-Free, RoHS Compliant S ID (Package Limited) 42A Automotive Q

 4.1. Size:715K  infineon
auirfr4104 auirfu4104.pdfpdf_icon

AUIRFR4104TR

AUIRFR4104 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU4104 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Low On-Resistance VDSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 5.5m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 119A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * ID (Package Limited) 42A D

 5.1. Size:317K  international rectifier
auirfr4105ztr.pdfpdf_icon

AUIRFR4104TR

PD - 97544 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR4105Z AUIRFU4105Z HEXFET Power MOSFET Features D Advanced Process Technology V(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 24.5m G Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID S 30A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description D Specifically de

 5.2. Size:238K  international rectifier
auirfr4105tr.pdfpdf_icon

AUIRFR4104TR

PD - 97597A AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR4105 HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 55V Advanced Planar Technology Low On-Resistance RDS(on) max. 45m Dynamic dV/dT Rating G ID (Silicon Limited) 27A 175 C Operating Temperature Fast Switching ID (Package Limited) 20A S Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up toTjmax Lead-Free,

Другие IGBT... AUIRFP4409, AUIRFP4568-E, AUIRFR120ZTRL, AUIRFR2307ZTR, AUIRFR2607ZTR, AUIRFR2905ZTR, AUIRFR3504ZTR, AUIRFR3710ZTRL, IRF540, AUIRFR4105TR, AUIRFR4105ZTR, AUIRFR4292, AUIRFR48ZTR, AUIRFR5305TR, AUIRFR540Z, AUIRFR5410TR, AUIRFR5505TR