AUIRFR48ZTR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFR48ZTR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AUIRFR48ZTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFR48ZTR даташит

 ..1. Size:292K  international rectifier
auirfr48ztr.pdfpdf_icon

AUIRFR48ZTR

PD - 97586 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR48Z HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D V(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 11m 175 C Operating Temperature Fast Switching G ID (Silicon Limited) 62A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 42A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Des

 5.1. Size:678K  infineon
auirfr48z.pdfpdf_icon

AUIRFR48ZTR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR48Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 55V 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 11m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 62A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * ID (Package Limited) 42A D Descript

 7.1. Size:317K  international rectifier
auirfr4104tr.pdfpdf_icon

AUIRFR48ZTR

PD - 97452A AUIRFR4104 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU4104 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 5.5m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 119A Lead-Free, RoHS Compliant S ID (Package Limited) 42A Automotive Q

 7.2. Size:281K  international rectifier
auirfr4292 auirfu4292.pdfpdf_icon

AUIRFR48ZTR

AUIRFR4292 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU4292 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D V(BR)DSS 250V Low On-Resistance RDS(on) typ. 275m 175 C Operating Temperature G Fast Switching max. 345m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 9.3A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed for Automotive applicatio

Другие IGBT... AUIRFR2607ZTR, AUIRFR2905ZTR, AUIRFR3504ZTR, AUIRFR3710ZTRL, AUIRFR4104TR, AUIRFR4105TR, AUIRFR4105ZTR, AUIRFR4292, IRF640, AUIRFR5305TR, AUIRFR540Z, AUIRFR5410TR, AUIRFR5505TR, AUIRFR6215TR, AUIRFR8401, AUIRFR8403, AUIRFR8405