AUIRFR8401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFR8401

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00425 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AUIRFR8401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFR8401 даташит

 ..1. Size:453K  international rectifier
 auirfr8401 auirfu8401.pdf pdf_icon

AUIRFR8401

AUIRFR8401 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU8401 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 40V D Advanced Process Technology New Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.2m 175 C Operating Temperature 4.25m G max Fast Switching ID (Silicon Limited) 100A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Lead-Free, RoHS Compliant ID

 ..2. Size:679K  infineon
 auirfr8401 auirfu8401.pdf pdf_icon

AUIRFR8401

AUIRFR8401 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU8401 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V New Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 3.2m Fast Switching max. 4.25m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 100A Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited) 100A

 5.1. Size:279K  international rectifier
 auirfr8403 auirfu8403.pdf pdf_icon

AUIRFR8401

AUIRFR8403 AUIRFU8403 AUTOMOTIVE GRADE Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D VDSS 40V l New Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 2.4m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 3.1m G l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 127A l Automotive Qualified * Description S ID (Package L

 5.2. Size:292K  international rectifier
 auirfr8405 auirfu8405.pdf pdf_icon

AUIRFR8401

AUIRFR8405 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU8405 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.65m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 1.98m l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * ID (Silicon Limited) 211A Description Specifically designed for A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRFR4105ZTR, AUIRFR4292, AUIRFR48ZTR, AUIRFR5305TR, AUIRFR540Z, AUIRFR5410TR, AUIRFR5505TR, AUIRFR6215TR, AO3400, AUIRFR8403, AUIRFR8405, AUIRFS4310TRL, AUIRFS4610TRL, AUIRFS6535, AUIRFS8403, AUIRFS8405, AUIRFS8407