Справочник MOSFET. AUIRFS6535

 

AUIRFS6535 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFS6535
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFS6535 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  international rectifier
auirfs6535 auirfsl6535.pdfpdf_icon

AUIRFS6535

AUTOMOTIVE GRADEAUIRFS6535AUIRFSL6535FeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Low On-ResistanceV(BR)DSS 300V 175C Operating TemperatureRDS(on) typ. 148m Fast SwitchingGmax. 185m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID 19A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DescriptionDSpecifically designed

 ..2. Size:701K  infineon
auirfs6535 auirfsl6535.pdfpdf_icon

AUIRFS6535

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS6535 AUIRFSL6535 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 300V Low On-Resistance RDS(on) typ. 148m 175C Operating Temperature Fast Switching max. 185m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 19A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D Description Specific

 8.1. Size:277K  international rectifier
auirfs8403 auirfsl8403.pdfpdf_icon

AUIRFS6535

AUIRFS8403AUTOMOTIVE GRADEAUIRFSL8403HEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process TechnologyDVDSS 40Vl New Ultra Low On-Resistancel 175C Operating TemperatureRDS(on) typ. 2.6ml Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG max. 3.3ml Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *SID (Silicon Limited) 123ADescriptionSpecifically desi

 8.2. Size:277K  international rectifier
auirfs8409-7p.pdfpdf_icon

AUIRFS6535

AUIRFS8409-7PAUTOMOTIVE GRADEFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technology40VVDSSl New Ultra Low On-Resistance0.55mRDS(on) typ. l 175C Operating Temperature max. 0.75ml Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax522AID (Silicon Limited)l Lead-Free, RoHS Compliant240A ID (Package Limited)l Automotive Qualified *Description

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: ASDM40N80Q | 2SK2887 | APT30M36JFLL | FHP12N65C | 2SK160A | DMP2070UCB6 | DH400P06LB

 

 
Back to Top

 


 
.