SDF6NA100SXH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF6NA100SXH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для SDF6NA100SXH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF6NA100SXH даташит

 ..1. Size:57K  solitron
 sdf6na100sxh.pdf pdf_icon

SDF6NA100SXH

 5.1. Size:152K  solitron
 sdf6na100.pdf pdf_icon

SDF6NA100SXH

 9.1. Size:160K  solitron
 sdf6n90.pdf pdf_icon

SDF6NA100SXH

 9.2. Size:165K  solitron
 sdf6n60.pdf pdf_icon

SDF6NA100SXH

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDF4NA100SXH, SDF50N40JAM, SDF50NA20GBF, SDF5N100JAA, SDF5N100JAB, SDF6N60JAA, SDF6N60JAB, SDF6N90, IRF540, SDF75NA20GBN, SDF85NA50HI, SDF85NA50JD, SDF9130JAA, SDF9130JAB, SDF9140, SDF9230JAA, SDF9230JAB