SDF6NA100SXH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SDF6NA100SXH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 26(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 325(max) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO3
Другие MOSFET... SDF4NA100SXH , SDF50N40JAM , SDF50NA20GBF , SDF5N100JAA , SDF5N100JAB , SDF6N60JAA , SDF6N60JAB , SDF6N90 , IRF540 , SDF75NA20GBN , SDF85NA50HI , SDF85NA50JD , SDF9130JAA , SDF9130JAB , SDF9140 , SDF9230JAA , SDF9230JAB .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918