FDP4D5N10C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDP4D5N10C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 48 nC
Время нарастания (tr): 49 ns
Выходная емкость (Cd): 2330 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FDP4D5N10C
FDP4D5N10C Datasheet (PDF)
fdp4d5n10c fdpf4d5n10c.pdf
www.onsemi.comFDP4D5N10C / FDPF4D5N10C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 128 A, 4.5 mFeatures General DescriptionThis N-Channel MV MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 4.5 m at VGS = 10 V, ID = 100 ASemiconductors advanced PowerTrench process that Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrrincorporates Shielded Gate technology. This process has b
fdp4d5n10c.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDP4D5N10CFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
