Справочник MOSFET. FDP4D5N10C

 

FDP4D5N10C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP4D5N10C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP4D5N10C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  onsemi
fdp4d5n10c fdpf4d5n10c.pdfpdf_icon

FDP4D5N10C

www.onsemi.comFDP4D5N10C / FDPF4D5N10C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 128 A, 4.5 mFeatures General DescriptionThis N-Channel MV MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 4.5 m at VGS = 10 V, ID = 100 ASemiconductors advanced PowerTrench process that Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrrincorporates Shielded Gate technology. This process has b

 ..2. Size:257K  inchange semiconductor
fdp4d5n10c.pdfpdf_icon

FDP4D5N10C

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP4D5N10CFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFF430 | MTEF1P15AV8 | FTU220 | NCE60NF055 | FHF5N60 | IRFB7746 | IPB100N06S2-05

 

 
Back to Top

 


 
.