Справочник MOSFET. FDP4D5N10C

 

FDP4D5N10C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP4D5N10C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FDP4D5N10C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP4D5N10C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  onsemi
 fdp4d5n10c fdpf4d5n10c.pdf pdf_icon

FDP4D5N10C

www.onsemi.comFDP4D5N10C / FDPF4D5N10C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 128 A, 4.5 mFeatures General DescriptionThis N-Channel MV MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 4.5 m at VGS = 10 V, ID = 100 ASemiconductors advanced PowerTrench process that Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrrincorporates Shielded Gate technology. This process has b

 ..2. Size:257K  inchange semiconductor
 fdp4d5n10c.pdf pdf_icon

FDP4D5N10C

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP4D5N10CFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

Другие MOSFET... AUIRLU024Z , AUIRLZ24NL , AUIRLZ24NS , AUXFS4409 , MTP15N15 , MTB20N20E , MTB33N10E , FDP2D3N10C , 75N75 , FQI70N08 , 2SK4145 , MTP33N10E , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C .

History: SDD04N65 | IPP65R190E6

 

 
Back to Top

 


 
.