Справочник MOSFET. FQI70N08

 

FQI70N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQI70N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI70N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  fairchild semi
 fqb70n08 fqi70n08.pdf pdf_icon

FQI70N08

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB70N08 / FQI70N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 70A, 80V, RDS(on) = 0.017 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 180 pF)This advanced technology

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WML18N06TS | NVMFS5C628N | WMN26N60F2 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.