Справочник MOSFET. IPB083N10N3

 

IPB083N10N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPB083N10N3

Маркировка: 083N10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 42 nC

Время нарастания (tr): 42 ns

Выходная емкость (Cd): 523 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0083 Ohm

Тип корпуса: D2PAKTO-263

Аналог (замена) для IPB083N10N3

 

 

IPB083N10N3 Datasheet (PDF)

0.1. ipp086n10n3g ipi086n10n3g ipb083n10n3g ipd082n10n3g.pdf Size:778K _infineon

IPB083N10N3
IPB083N10N3

IPP086N10N3 G IPI086N10N3 GIPB083N10N3 G IPD082N10N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO 252) 8.2 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 80 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JED

0.2. ipp086n10n3-g ipi086n10n3-g ipb083n10n3-g ipd082n10n3-g.pdf Size:757K _infineon

IPB083N10N3
IPB083N10N3

IPP086N10N3 G IPI086N10N3 GIPB083N10N3 G IPD082N10N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO 252) 8.2 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 80 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JED

 0.3. ipb083n10n3.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

IPB083N10N3
IPB083N10N3

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB083N10N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top