Справочник MOSFET. IPB107N20N3

 

IPB107N20N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB107N20N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB107N20N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  inchange semiconductor
ipb107n20n3.pdfpdf_icon

IPB107N20N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB107N20N3FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 0.1. Size:690K  infineon
ipb107n20n3-g ipp110n20n3-g ipi110n20n3-g ipb107n20n3g ipp110n20n3g ipi110n20n3g.pdfpdf_icon

IPB107N20N3

IPB107N20N3 G IPP110N20N3 GIPI110N20N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO263) 10.7mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 88 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target appl

 4.1. Size:652K  infineon
ipb107n20na ipp110n20na.pdfpdf_icon

IPB107N20N3

IPB107N20NA IPP110N20NAOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO263) 10.7mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 88 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IE

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
ipb107n20na.pdfpdf_icon

IPB107N20N3

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB107N20NAFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HGK043N15S | PSMN013-30MLC | BUK9610-100B | FQP22P10 | HM50P06 | APM4340K | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.