IPB107N20N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPB107N20N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm

Тип корпуса: D2PAK TO-263

Аналог (замена) для IPB107N20N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB107N20N3 даташит

 ..1. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb107n20n3.pdf pdf_icon

IPB107N20N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB107N20N3 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 0.1. Size:690K  infineon
 ipb107n20n3-g ipp110n20n3-g ipi110n20n3-g ipb107n20n3g ipp110n20n3g ipi110n20n3g.pdf pdf_icon

IPB107N20N3

IPB107N20N3 G IPP110N20N3 G IPI110N20N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 200 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO263) 10.7 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 88 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target appl

 4.1. Size:652K  infineon
 ipb107n20na ipp110n20na.pdf pdf_icon

IPB107N20N3

IPB107N20NA IPP110N20NA OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 200 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO263) 10.7 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 88 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IE

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb107n20na.pdf pdf_icon

IPB107N20N3

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB107N20NA FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB054N06N3, IPB05CN10N, IPB065N10N3, IPB067N08N3, IPB081N06L3, IPB083N10N3, IPB083N15N5LF, IPB097N08N3, IRF540N, IPB110N20N3LF, IPB26CN10N, IPB34CN10N, IPB530N15N3, IPB60R040C7, IPB60R060C7, IPB60R060P7, IPB60R080P7