IPB110N20N3LF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPB110N20N3LF
Маркировка: 110N20LF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 76 nC
trⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: D2PAK TO-263
Аналог (замена) для IPB110N20N3LF
IPB110N20N3LF Datasheet (PDF)
ipb110n20n3lf.pdf
IPB110N20N3LFMOSFETDPAKOptiMOSTM 3 Linear FET, 200 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21Drain
ipb110n20n3lf.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB110N20N3LFFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
ipb110n06lg.pdf
IPB110N06L G IPP110N06L GOptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS For fast switching converters and sync. rectificationR 11mDS(on),max SMD version N-channel enhancement - logic levelI 78 AD 175 C operating temperature Avalanche rated Pb-free lead plating, RoHS compliantType IPB110N06L G IPP110N06L GType Package MarkingIPB1
ipb110n06lg ipp110n06lg.pdf
IPB110N06L G IPP110N06L G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>R 11 m , ?> =1G ,' E5AB9?>P ( 381>>581>35=5>C
ipb110p06lm.pdf
IPB110P06LMMOSFETDPAKOptiMOSTM Power Transistor, -60 VFeaturestab P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant1 Halogen-free according to IEC61249-2-213Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDraint
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918