IRFS4510. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS4510

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0139 Ohm

Тип корпуса: D2PAK TO-263

Аналог (замена) для IRFS4510

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS4510 даташит

 ..1. Size:256K  international rectifier
 irfs4510pbf irfsl4510pbf.pdf pdf_icon

IRFS4510

PD - 97771 IRFS4510PbF IRFSL4510PbF HEXFET Power MOSFET D Applications VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 11.3m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching G max. 13.9m l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Silicon Limited) 61A S Benefits D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D Ruggedness l

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 irfs4510.pdf pdf_icon

IRFS4510

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4510 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt

 7.1. Size:275K  1
 irfs450 irfs451.pdf pdf_icon

IRFS4510

 8.1. Size:187K  1
 irfs450.pdf pdf_icon

IRFS4510

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPS70R1K4CE, IPS70R950CE, IPU050N03L, IPU060N03L, IPU075N03L, IPU135N03L, IPU60R3K4CE, IRF135S203, SKD502T, IRFS7434, IRFS7437, IRFS7530, IRFS7537, IRFS7540, IRFS7730, IRFS7734, IRFS7762