IXFY36N20X3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFY36N20X3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: DPAK TO-252

Аналог (замена) для IXFY36N20X3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFY36N20X3 даташит

 ..1. Size:310K  ixys
 ixfy36n20x3 ixfa36n20x3 ixfp36n20x3.pdf pdf_icon

IXFY36N20X3

VDSS = 200V X3-Class HiPERFETTM IXFY36N20X3 ID25 = 36A Power MOSFET IXFA36N20X3 RDS(on) 45m IXFP36N20X3 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXFY) G S D (Tab) TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V G S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V D (Tab) VGSS Continuous 20 V TO-220

 ..2. Size:262K  inchange semiconductor
 ixfy36n20x3.pdf pdf_icon

IXFY36N20X3

Isc N-Channel MOSFET Transistor IXFY36N20X3 FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Другие IGBT... IRL60S216, IRLS3813, IXFH56N30X3, IXFP12N65X2, IXFP20N85X, IXFP36N20X3M, IXFP72N20X3M, IXFQ8N85X, RFP50N06, IXTA12N70X2, IXTP230N04T4M, MFT60N12T22FS, MMD60R580QRH, MTD300N20J3, NTHL040N65S3F, NVD4C05NT4G, IXTH12N70X2