Справочник MOSFET. IXFY36N20X3

 

IXFY36N20X3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFY36N20X3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: DPAK TO-252
 

 Аналог (замена) для IXFY36N20X3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFY36N20X3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  ixys
 ixfy36n20x3 ixfa36n20x3 ixfp36n20x3.pdf pdf_icon

IXFY36N20X3

VDSS = 200VX3-Class HiPERFETTM IXFY36N20X3ID25 = 36APower MOSFETIXFA36N20X3 RDS(on) 45m IXFP36N20X3N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VD (Tab)VGSS Continuous 20 VTO-220

 ..2. Size:262K  inchange semiconductor
 ixfy36n20x3.pdf pdf_icon

IXFY36N20X3

Isc N-Channel MOSFET Transistor IXFY36N20X3FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... IRL60S216 , IRLS3813 , IXFH56N30X3 , IXFP12N65X2 , IXFP20N85X , IXFP36N20X3M , IXFP72N20X3M , IXFQ8N85X , SKD502T , IXTA12N70X2 , IXTP230N04T4M , MFT60N12T22FS , MMD60R580QRH , MTD300N20J3 , NTHL040N65S3F , NVD4C05NT4G , IXTH12N70X2 .

History: RMW130N03

 

 
Back to Top

 


 
.