STP140N6F7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STP140N6F7  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STP140N6F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP140N6F7 даташит

 ..1. Size:256K  st
 stp140n6f7.pdf pdf_icon

STP140N6F7

STP140N6F7 N-channel 60 V, 0.0031 typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP140N6F7 60 V 0.0035 80 A 158 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Applications

 0.1. Size:260K  inchange semiconductor
 istp140n6f7.pdf pdf_icon

STP140N6F7

isc N-Channel MOSFET Transistor ISTP140N6F7 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 7.1. Size:539K  st
 stb140nf75-1 stb140nf75t4 stb140nf75 stp140nf75-1 stp140nf75.pdf pdf_icon

STP140N6F7

STP140NF75 STB140NF75 - STB140NF75-1 N-channel 75V - 0.0065 - 120A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB140NF75 75V

 7.2. Size:582K  st
 stp140n8f7.pdf pdf_icon

STP140N6F7

STP140N8F7 N-channel 80 V, 3.5 m typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP140N8F7 80 V 4.3 m 90 A 200 W Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity rss iss High avalanche ruggedness Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTHL040N65S3F, NVD4C05NT4G, IXTH12N70X2, PSMN3R7-100BSE, R6018JNX, SIHG47N60AEF, STD140N6F7, STH140N6F7, IRFZ46N, SUP70060E, TK13A60W, VN1206N5, VN1210N2, WFD5N65L, CJ1012, CJ1012-G, CJ2101