TK13A60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK13A60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK13A60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK13A60W даташит

 ..1. Size:255K  inchange semiconductor
 tk13a60w.pdf pdf_icon

TK13A60W

isc N-Channel MOSFET Transistor TK13A60W FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PA

 7.1. Size:191K  toshiba
 tk13a60d.pdf pdf_icon

TK13A60W

TK13A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS VII) TK13A60D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

 7.2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk13a60d.pdf pdf_icon

TK13A60W

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK13A60D ITK13A60D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.33 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.1. Size:226K  toshiba
 tk13a65d.pdf pdf_icon

TK13A60W

TK13A65D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK13A65D TK13A65D TK13A65D TK13A65D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.4 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 7.5 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH12N70X2, PSMN3R7-100BSE, R6018JNX, SIHG47N60AEF, STD140N6F7, STH140N6F7, STP140N6F7, SUP70060E, IRL3713, VN1206N5, VN1210N2, WFD5N65L, CJ1012, CJ1012-G, CJ2101, CJ2102, CJ2301