WFD5N65L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFD5N65L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для WFD5N65L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFD5N65L даташит

 ..1. Size:255K  winsemi
 wfd5n65l.pdf pdf_icon

WFD5N65L

WFD5N65L Product Description Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features D 5.0A,650V,R (Max2.7 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 12nC) Fast Switching Capability G 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) S General Description This Power MOSFET is produced

 ..2. Size:262K  inchange semiconductor
 wfd5n65l.pdf pdf_icon

WFD5N65L

Isc N-Channel MOSFET Transistor WFD5N65L FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

 8.1. Size:487K  winsemi
 wfd5n60b.pdf pdf_icon

WFD5N65L

WFD5N60B WFD5N60B WFD5N60B WFD5N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 8.2. Size:485K  winsemi
 wfd5n60c.pdf pdf_icon

WFD5N65L

WFD5N60C WFD5N60C WFD5N60C WFD5N60C Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHG47N60AEF, STD140N6F7, STH140N6F7, STP140N6F7, SUP70060E, TK13A60W, VN1206N5, VN1210N2, IRFZ46N, CJ1012, CJ1012-G, CJ2101, CJ2102, CJ2301, CJ2301-HF, CJ2301S, CJ2302