Справочник MOSFET. CJ3134KW

 

CJ3134KW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJ3134KW
   Маркировка: 34K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.75 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 4.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 20 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323

 Аналог (замена) для CJ3134KW

 

 

CJ3134KW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3023K  jiangsu
 cj3134kw.pdf

CJ3134KW CJ3134KW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3134KW N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 380 m@4.5V20V 0.75Am450 @2.5V800m@1.8V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Drivers:Relays, Solenoids, High-Side Switching Lamps, Hammers, Displays, Memories Low On-Resistance Battery Opera

 7.1. Size:955K  jiangsu
 cj3134k.pdf

CJ3134KW CJ3134KW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3134K N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-723 380m@ 4.5V20V 450m@2.5V0.75A 800m@1.8V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURES APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switc

 7.2. Size:2764K  jiangsu
 cj3134kdw.pdf

CJ3134KW CJ3134KW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ3134KDW Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 6380m@ 4.5V520V 450m@2.5V0.75A4800m@1.8V123FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch

 9.1. Size:436K  jiangsu
 cj3139k.pdf

CJ3134KW CJ3134KW

P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Inte

 9.2. Size:2229K  jiangsu
 cj3139kdw.pdf

CJ3134KW CJ3134KW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ3139KDW Dual P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 95 1 8 TYP GENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Includi

 9.3. Size:2431K  jiangsu
 cj3139kw.pdf

CJ3134KW CJ3134KW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJ3139KW P-Channel Power MOSFETSOT-323 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE GENERRAL DESCRIPTION 3. DRAIN This Single P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to opti

 9.4. Size:1850K  cn tech public
 pcj3139k.pdf

CJ3134KW CJ3134KW

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top