Справочник MOSFET. CJ3139K

 

CJ3139K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJ3139K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT-723
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  jiangsu
 cj3139k.pdf pdf_icon

CJ3139K

P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Inte

 0.1. Size:2229K  jiangsu
 cj3139kdw.pdf pdf_icon

CJ3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ3139KDW Dual P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 95 1 8 TYP GENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Includi

 0.2. Size:2431K  jiangsu
 cj3139kw.pdf pdf_icon

CJ3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJ3139KW P-Channel Power MOSFETSOT-323 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE GENERRAL DESCRIPTION 3. DRAIN This Single P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to opti

 0.3. Size:1850K  cn tech public
 pcj3139k.pdf pdf_icon

CJ3139K

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF2454A

 

 
Back to Top

 


 
.