Справочник MOSFET. CJ3139K

 

CJ3139K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJ3139K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT-723
 

 Аналог (замена) для CJ3139K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  jiangsu
 cj3139k.pdf pdf_icon

CJ3139K

P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Inte

 0.1. Size:2229K  jiangsu
 cj3139kdw.pdf pdf_icon

CJ3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ3139KDW Dual P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 95 1 8 TYP GENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Includi

 0.2. Size:2431K  jiangsu
 cj3139kw.pdf pdf_icon

CJ3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJ3139KW P-Channel Power MOSFETSOT-323 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE GENERRAL DESCRIPTION 3. DRAIN This Single P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to opti

 0.3. Size:1850K  cn tech public
 pcj3139k.pdf pdf_icon

CJ3139K

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CJ2306 , CJ2307 , CJ2310 , CJ2312 , CJ2321 , CJ2333 , CJ3134K , CJ3134KW , IRF540 , CJ3139KW , CJ3400 , CJ3400A , CJ3400-HF , CJ3401 , CJ3401A , CJ3401-HF , CJ3402 .

History: WML18N50C4 | 2N7335 | SI2306DS-T1 | FR120N | MTMC8E2A | HY3403V | FQB8N90C

 

 
Back to Top

 


 
.