CJD02N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJD02N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO-251S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJD02N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJD02N65 даташит

 ..1. Size:377K  jiangsu
 cjd02n65.pdf pdf_icon

CJD02N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD02N65 N-Channel Power MOSFET TO-251S GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high sp

 7.1. Size:391K  jiangsu
 cjd02n60.pdf pdf_icon

CJD02N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD02N60 N-Channel Power MOSFET TO-251S General Description The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanch

Другие IGBT... CJB04N65A, CJB08N65, CJB10N60, CJB71N90, CJD01N60, CJD01N65B, CJD01N80, CJD02N60, SPP20N60C3, CJD04N60, CJD04N60A, CJD04N60B, CJD04N65, CJD04N65A, CJD05N60B, CJD4410, CJD4435