Справочник MOSFET. CJD4410

 

CJD4410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJD4410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для CJD4410

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJD4410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  jiangsu
 cjd4410.pdf pdf_icon

CJD4410

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4410 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-2 51-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. DRAIN APPLICATIONS 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage

 9.1. Size:167K  jiangsu
 cjd4435.pdf pdf_icon

CJD4410

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4435 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-251-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. DRAIN 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage

Другие MOSFET... CJD02N60 , CJD02N65 , CJD04N60 , CJD04N60A , CJD04N60B , CJD04N65 , CJD04N65A , CJD05N60B , IRF530 , CJD4435 , CJI02N60 , CJK2305 , CJK3407 , CJK3415 , CJL3407 , CJL3415 , CJL3443 .

History: IPD60R280PFD7S | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | NCE0106AR | CS10N65FA9HD | 2SJ182S | P1504BDG

 

 
Back to Top

 


 
.