Справочник MOSFET. CJK3407

 

CJK3407 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJK3407
   Маркировка: R7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L
 

 Аналог (замена) для CJK3407

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJK3407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  jiangsu
 cjk3407.pdf pdf_icon

CJK3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK34 07 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET SOT-23-3L ID V(BR)DSS RDS(on)MAX \60m@-10 V-4.1A-30V 87m@-4.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DGeneral Description The CJK3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for

 8.1. Size:1634K  jiangsu
 cjk3401ah.pdf pdf_icon

CJK3407

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401AH P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 50m@-10V-30V -4.2A60 m@-4.5Vm@-2.5V85FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devices Exceptional on-resistance and maximum

 8.2. Size:715K  jiangsu
 cjk3400a.pdf pdf_icon

CJK3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 32m@10V30V 38m@4.5V5.8A45m@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DFEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-r

 8.3. Size:780K  jiangsu
 cjk3401a.pdf pdf_icon

CJK3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L m@-10V60 -30V 70 m -4.2A@-4.5Vm@-2.5V851. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DFEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CJD04N60B , CJD04N65 , CJD04N65A , CJD05N60B , CJD4410 , CJD4435 , CJI02N60 , CJK2305 , IRLB4132 , CJK3415 , CJL3407 , CJL3415 , CJL3443 , CJM1216 , CJP01N65B , CJP02N60 , CJP02N65 .

History: HGD093N12SL | SSM3K37MFV

 

 
Back to Top

 


 
.