Справочник MOSFET. CJK3407

 

CJK3407 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJK3407
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L

 Аналог (замена) для CJK3407

 

 

CJK3407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  jiangsu
 cjk3407.pdf

CJK3407 CJK3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK34 07 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET SOT-23-3L ID V(BR)DSS RDS(on)MAX \60m@-10 V-4.1A-30V 87m@-4.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DGeneral Description The CJK3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for

 8.1. Size:1634K  jiangsu
 cjk3401ah.pdf

CJK3407 CJK3407

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401AH P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 50m@-10V-30V -4.2A60 m@-4.5Vm@-2.5V85FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devices Exceptional on-resistance and maximum

 8.2. Size:715K  jiangsu
 cjk3400a.pdf

CJK3407 CJK3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 32m@10V30V 38m@4.5V5.8A45m@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DFEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-r

 8.3. Size:780K  jiangsu
 cjk3401a.pdf

CJK3407 CJK3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L m@-10V60 -30V 70 m -4.2A@-4.5Vm@-2.5V851. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DFEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devi

 8.4. Size:1664K  jiangsu
 cjk3400ah.pdf

CJK3407 CJK3407

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3400AH N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 27m@10V30V 32m@4.5V5.8A48m@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DFEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-resist

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top