CJK3407 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJK3407  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-3L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJK3407

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJK3407 даташит

 ..1. Size:728K  jiangsu
 cjk3407.pdf pdf_icon

CJK3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK34 07 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET SOT-23-3L ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 60m @-10 V -4.1A -30V 87m @-4.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D General Description The CJK3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for

 8.1. Size:1634K  jiangsu
 cjk3401ah.pdf pdf_icon

CJK3407

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401AH P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 50m @-10V -30V -4.2A 60 m @-4.5V m @-2.5V 85 FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devices Exceptional on-resistance and maximum

 8.2. Size:715K  jiangsu
 cjk3400a.pdf pdf_icon

CJK3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 32m @10V 30V 38m @4.5V 5.8A 45m @2.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-r

 8.3. Size:780K  jiangsu
 cjk3401a.pdf pdf_icon

CJK3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L m @-10V 60 -30V 70 m -4.2A @-4.5V m @-2.5V 85 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJD04N60B, CJD04N65, CJD04N65A, CJD05N60B, CJD4410, CJD4435, CJI02N60, CJK2305, CS150N03A8, CJK3415, CJL3407, CJL3415, CJL3443, CJM1216, CJP01N65B, CJP02N60, CJP02N65