Справочник MOSFET. CJP07N60

 

CJP07N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJP07N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CJP07N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP07N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  jiangsu
 cjp07n60.pdf pdf_icon

CJP07N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP07N60 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L General Description The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in ava

 7.1. Size:550K  jiangsu
 cjp07n65.pdf pdf_icon

CJP07N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP07N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast 1. GATE recovery time. Desighed for high vo

Другие MOSFET... CJP02N65 , CJP02N80 , CJP04N60 , CJP04N60A , CJP04N65 , CJP04N65A , CJP05N60 , CJP05N60B , 7N60 , CJP07N65 , CJP08N60 , CJP08N65 , CJP10N60 , CJP10N65 , CJP12N60 , CJP12N65 , CJP71N90 .

History: HGN100N12SL | MGSF2N02ELT1G | SLD80R500SJ | SLI80R380SJ | 15N65L-TQ2-T | IXTA36P15P

 

 
Back to Top

 


 
.