Справочник MOSFET. CJP75N75

 

CJP75N75 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJP75N75
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для CJP75N75

 

 

CJP75N75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  jiangsu
 cjp75n75.pdf

CJP75N75 CJP75N75

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP75N75 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP75N75 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. Good stability and 1. GATE uniformity with high EAS .This device is suitable for use in PWM, 2. DRAIN load switching and gen

 8.1. Size:120K  jiangsu
 cjp75n80.pdf

CJP75N75 CJP75N75

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP75N80 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP75N80 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. Good stability and 1. GATE uniformity with high EAS .This device is suitable for use in PWM, 2. DRAIN load switching and gen

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top