Справочник MOSFET. CJP75N80

 

CJP75N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJP75N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP75N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  jiangsu
 cjp75n80.pdf pdf_icon

CJP75N80

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP75N80 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP75N80 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. Good stability and 1. GATE uniformity with high EAS .This device is suitable for use in PWM, 2. DRAIN load switching and gen

 8.1. Size:104K  jiangsu
 cjp75n75.pdf pdf_icon

CJP75N80

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP75N75 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP75N75 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. Good stability and 1. GATE uniformity with high EAS .This device is suitable for use in PWM, 2. DRAIN load switching and gen

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXM64P035L3 | 4N90L-T3N-T | 2SK417 | AP85T08GS | IRFP240 | TPC65R260M | BRCS100N06BD

 

 
Back to Top

 


 
.