CJQ4459 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJQ4459  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJQ4459

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJQ4459 даташит

 ..1. Size:1628K  jiangsu
 cjq4459.pdf pdf_icon

CJQ4459

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4459 P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS R DS(on) MAX SOP8 46m @ -10V -6.5A -30V 72m @ -4.5 V DESCRIPTION The CJQ4459 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protectio

 9.1. Size:1856K  jiangsu
 cjq4435.pdf pdf_icon

CJQ4459

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4435 P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS R DS(on) MAX SOP8 24 -10V m @ -9.1A -30V 35m @ -4.5 V DESCRIPTION The CJQ4435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is idea

 9.2. Size:2130K  jiangsu
 cjq4435s.pdf pdf_icon

CJQ4459

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4435S P-Channel Power MOSFET ID R DS(o n) TYP V(BR)DSS SOP8 18m @-10V -30V -7.3A 26m @ -4.5V DESCRIPTION The CJQ4435S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally

 9.3. Size:2418K  jiangsu
 cjq4406.pdf pdf_icon

CJQ4459

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ4406 N-Channel Power MOSFET ID V (BR)DSS RDS(on)MAX SOP8 12m @10V 30V 10A 16m @4.5V DESCRIPTION The CJQ4406 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications. APPLIC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJPF08N65, CJPF10N60, CJPF10N65, CJPF12N60, CJPF12N65, CJQ4410, CJQ4435, CJQ4438, IRF740, CJQ9435, CJU01N60, CJU01N65B, CJU01N80, CJU02N60, CJU02N65, CJU02N80, CJU03N80