CJV01N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJV01N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm

Тип корпуса: TO-92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJV01N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJV01N60 даташит

 ..1. Size:290K  jiangsu
 cjv01n60.pdf pdf_icon

CJV01N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJV01N60 N-Channel Power MOSFET TO-92 General Description The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and

 7.1. Size:129K  jiangsu
 cjv01n65b.pdf pdf_icon

CJV01N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJV01N65B N-Channel Power MOSFET TO-92 GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high speed

Другие IGBT... CJU04N60, CJU04N60A, CJU04N65, CJU04N65A, CJU05N60, CJU05N60B, CJU10N10, CJU4828, 10N60, CJV01N65B, CJW1012, CTLDM303N-M832DS, CTLDM304P-M832DS, CTLDM3590, CTLDM7002A-M621, CTLDM7002A-M621H, CTLDM7003-M621