CTLDM304P-M832DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CTLDM304P-M832DS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TLM832DS
Аналог (замена) для CTLDM304P-M832DS
CTLDM304P-M832DS Datasheet (PDF)
ctldm304p-m832ds.pdf

CTLDM304P-M832DSSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM304P-M832DSSILICON MOSFETis a dual enhancement-mode P-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. M
ctldm303n-m832ds.pdf

CTLDM303N-M832DSSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM303N-M832DSSILICON MOSFETis a dual enhancement-mode N-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage.MA
ctldm3590.pdf

CTLDM3590SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM3590 isSILICON MOSFETan enhancement-mode N-channel MOSFET designed for applications including high speed pulsed amplifiers and drivers. This MOSFET has beneficially low rDS(ON), low threshold voltage, and very low gate charge characteristics.MARKING CODE: 1FEA
Другие MOSFET... CJU05N60 , CJU05N60B , CJU10N10 , CJU4828 , CJV01N60 , CJV01N65B , CJW1012 , CTLDM303N-M832DS , IRFB4115 , CTLDM3590 , CTLDM7002A-M621 , CTLDM7002A-M621H , CTLDM7003-M621 , CTLDM7120-M563 , CTLDM7120-M621 , CTLDM7120-M621H , CTLDM7120-M832D .
History: CTD06N017 | MP10N60EIC
History: CTD06N017 | MP10N60EIC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560