Справочник MOSFET. CTLDM304P-M832DS

 

CTLDM304P-M832DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTLDM304P-M832DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TLM832DS
 

 Аналог (замена) для CTLDM304P-M832DS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTLDM304P-M832DS Datasheet (PDF)

 0.1. Size:678K  central
ctldm304p-m832ds.pdfpdf_icon

CTLDM304P-M832DS

CTLDM304P-M832DSSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM304P-M832DSSILICON MOSFETis a dual enhancement-mode P-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. M

 7.1. Size:678K  central
ctldm303n-m832ds.pdfpdf_icon

CTLDM304P-M832DS

CTLDM303N-M832DSSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM303N-M832DSSILICON MOSFETis a dual enhancement-mode N-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage.MA

 8.1. Size:1156K  central
ctldm3590.pdfpdf_icon

CTLDM304P-M832DS

CTLDM3590SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM3590 isSILICON MOSFETan enhancement-mode N-channel MOSFET designed for applications including high speed pulsed amplifiers and drivers. This MOSFET has beneficially low rDS(ON), low threshold voltage, and very low gate charge characteristics.MARKING CODE: 1FEA

Другие MOSFET... CJU05N60 , CJU05N60B , CJU10N10 , CJU4828 , CJV01N60 , CJV01N65B , CJW1012 , CTLDM303N-M832DS , IRFB4115 , CTLDM3590 , CTLDM7002A-M621 , CTLDM7002A-M621H , CTLDM7003-M621 , CTLDM7120-M563 , CTLDM7120-M621 , CTLDM7120-M621H , CTLDM7120-M832D .

History: CTD06N017 | MP10N60EIC

 

 
Back to Top

 


 
.