CTLDM7120-M621 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTLDM7120-M621  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TLM621H

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTLDM7120-M621

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTLDM7120-M621 даташит

 ..1. Size:456K  central
 ctldm7120-m621 ctldm7120-m621h.pdf pdf_icon

CTLDM7120-M621

CTLDM7120-M621H SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM7120-M621H is SILICON MOSFET an Enhancement-mode N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage. MARKIN

 3.1. Size:613K  central
 ctldm7120-m832ds.pdf pdf_icon

CTLDM7120-M621

CTLDM7120-M832DS SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFET CTLDM7120-M832DS is an Enhancement-mode Dual N-Channel MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage. MARKING COD

 3.2. Size:470K  central
 ctldm7120-m832d.pdf pdf_icon

CTLDM7120-M621

CTLDM7120-M832D SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL, N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFETS CTLDM7120-M832D is an Enhancement-mode Dual N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Volt

 3.3. Size:632K  central
 ctldm7120-m563.pdf pdf_icon

CTLDM7120-M621

CTLDM7120-M563 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM7120-M563 SILICON MOSFET is a high quality, enhancement-mode N-channel MOSFET packaged in a space saving 1.6 x 1.6mm TLM surface mount package. This device is a TLM equivalent of the popular CMLDM7120G, SOT-563 device, featuring enhanced thermal characte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJW1012, CTLDM303N-M832DS, CTLDM304P-M832DS, CTLDM3590, CTLDM7002A-M621, CTLDM7002A-M621H, CTLDM7003-M621, CTLDM7120-M563, AON7408, CTLDM7120-M621H, CTLDM7120-M832D, CTLDM7120-M832DS, CTLDM7181-M832D, CTLDM7590, CTLDM8002A-M621, CTLDM8002A-M621H, CTLDM8120-M621H