CTLDM8120-M621H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTLDM8120-M621H  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.142 Ohm

Тип корпуса: TLM621H

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTLDM8120-M621H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTLDM8120-M621H даташит

 0.1. Size:418K  central
 ctldm8120-m621h.pdf pdf_icon

CTLDM8120-M621H

CTLDM8120-M621H SURFACE MOUNT www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFET CTLDM8120-M621H is a very low profile (0.4mm) P-Channel enhancement-mode MOSFET in a small, thermally efficient, 1.5mm x 2mm TLM package. MARKING CODE CNF TLM621H CASE Device is Halogen Free by design FEATURES APPLICATIONS Low rDS(ON)

 3.1. Size:466K  central
 ctldm8120-m832d.pdf pdf_icon

CTLDM8120-M621H

CTLDM8120-M832D SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL, P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFETS CTLDM8120-M832D is an Enhancement-mode Dual P-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Volt

 8.1. Size:610K  central
 ctldm8002a-m621.pdf pdf_icon

CTLDM8120-M621H

CTLDM8002A-M621 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFET CTLDM8002A-M621 is a Silicon P-Channel Enhancement-mode MOSFET in a small, thermally efficient, TLM 2x1mm package. MARKING CODE CN FEATURES Low rDS(on) TLM621 CASE Low VDS(on) Low Threshold Voltage APPLICATIONS Fast Switchi

 8.2. Size:458K  central
 ctldm8002a-m621h.pdf pdf_icon

CTLDM8120-M621H

CTLDM8002A-M621H SURFACE MOUNT www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM8002A-M621H SILICON MOSFET is a very low profile (0.4mm) P-Channel enhancement-mode MOSFET in a small, thermal efficient, 1.5mm x 2mm TLM package. MARKING CODE CNC FEATURES Low rDS(on) TLM621H CASE Low VDS(on) APPLICATIONS Low Threshold V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CTLDM7120-M621, CTLDM7120-M621H, CTLDM7120-M832D, CTLDM7120-M832DS, CTLDM7181-M832D, CTLDM7590, CTLDM8002A-M621, CTLDM8002A-M621H, K3569, CTLDM8120-M832D, CTLM7110-M832D, CTLM8110-M832D, CTM01N60, CTM02N60, CTM04N60, CTM06N60, CTM07N60