CTM08N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CTM08N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
CTM08N50 Datasheet (PDF)
ctm08n50.pdf
CTM08N50 CTM08N50 Crownpo Technology Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Robust High Voltage Termination This high voltage MOSFET uses an advanced termination Avalanche Energy Specified scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a without degrading performance over time. In addition,
Другие MOSFET... CTLDM8120-M832D , CTLM7110-M832D , CTLM8110-M832D , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , 5N65 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N .
History: CTLM8110-M832D
History: CTLM8110-M832D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor


