Справочник MOSFET. CTM08N50

 

CTM08N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTM08N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
 

 Аналог (замена) для CTM08N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM08N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  crownpo
 ctm08n50.pdf pdf_icon

CTM08N50

CTM08N50CTM08N50Crownpo TechnologyCrownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionRobust High Voltage TerminationThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationAvalanche Energy Specifiedscheme to provide enhanced voltage-blocking capabilitySource-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to awithout degrading performance over time. In addition,

Другие MOSFET... CTLDM8120-M832D , CTLM7110-M832D , CTLM8110-M832D , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , 4435 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N .

History: FS20VS-6 | 2SK1165 | BRF13N50 | APT37M100L | 2SK1197 | GT1003A | IRF7905PBF

 

 
Back to Top

 


 
.