CWDM3011N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CWDM3011N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CWDM3011N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CWDM3011N даташит

 ..1. Size:1137K  central
 cwdm3011n.pdf pdf_icon

CWDM3011N

CWDM3011N SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM3011N is MOSFET a high current silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. MARKING CODE

 6.1. Size:1136K  central
 cwdm3011p.pdf pdf_icon

CWDM3011N

CWDM3011P SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM3011P is MOSFET a high current silicon P-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET has high current capability with beneficially low rDS(ON), and low gate charge. MARKING CODE C3011P SOIC

 8.1. Size:1143K  central
 cwdm305nd.pdf pdf_icon

CWDM3011N

CWDM305ND SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305ND is SILICON MOSFET a dual, high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. M

 8.2. Size:654K  central
 cwdm305pd.pdf pdf_icon

CWDM3011N

CWDM305PD SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305PD SILICON MOSFET is a dual high current P-channel enhancement-mode silicon MOSFET manufactured by the P-channel DMOS process, and is designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302, CTN2304, CTP2303, STP80NF70, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND, CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N, CXDM3069N, CXDM4060N