Справочник MOSFET. CWDM3011N

 

CWDM3011N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CWDM3011N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для CWDM3011N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CWDM3011N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1137K  central
 cwdm3011n.pdf pdf_icon

CWDM3011N

CWDM3011NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM3011N is MOSFETa high current silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage.MARKING CODE

 6.1. Size:1136K  central
 cwdm3011p.pdf pdf_icon

CWDM3011N

CWDM3011PSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM3011P is MOSFETa high current silicon P-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET has high current capability with beneficially low rDS(ON), and low gate charge.MARKING CODE: C3011PSOIC

 8.1. Size:1143K  central
 cwdm305nd.pdf pdf_icon

CWDM3011N

CWDM305NDSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305ND is SILICON MOSFETa dual, high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage.M

 8.2. Size:654K  central
 cwdm305pd.pdf pdf_icon

CWDM3011N

CWDM305PDSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305PD SILICON MOSFETis a dual high current P-channel enhancement-mode silicon MOSFET manufactured by the P-channel DMOS process, and is designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , CTP2303 , 20N50 , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , CXDM1002N , CXDM3069N , CXDM4060N .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.