Справочник MOSFET. CXDM6053N

 

CXDM6053N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CXDM6053N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CXDM6053N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  central
 cxdm6053n.pdf pdf_icon

CXDM6053N

CXDM6053NSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM6053N is SILICON MOSFETa high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMB

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: CSN03N3P9 | DAC040N120Z5 | D110N04 | 2341 | 2302P

 

 
Back to Top

 


 
.