CXDM6053N - аналоги и даташиты транзистора

 

CXDM6053N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CXDM6053N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для CXDM6053N

 

CXDM6053N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  central
 cxdm6053n.pdf pdf_icon

CXDM6053N

CXDM6053N SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM6053N is SILICON MOSFET a high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current. MARKING FULL PART NUMB

Другие MOSFET... CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , CXDM1002N , CXDM3069N , CXDM4060N , CXDM4060P , 5N60 , CZDM1003N , D55NF06 , D84DM2 , D84DN2 , DE150-101N09A , DE150-102N02A , DE150-201N09A , DE150-501N04A .

 

 
Back to Top

 


 
.