Справочник MOSFET. CXDM6053N

 

CXDM6053N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CXDM6053N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для CXDM6053N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CXDM6053N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  central
 cxdm6053n.pdf pdf_icon

CXDM6053N

CXDM6053NSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM6053N is SILICON MOSFETa high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMB

Другие MOSFET... CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , CXDM1002N , CXDM3069N , CXDM4060N , CXDM4060P , 13N50 , CZDM1003N , D55NF06 , D84DM2 , D84DN2 , DE150-101N09A , DE150-102N02A , DE150-201N09A , DE150-501N04A .

History: VBA3695 | AM2373P

 

 
Back to Top

 


 
.