Справочник MOSFET. DI9405

 

DI9405 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DI9405
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DI9405 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  vishay
di9405.pdfpdf_icon

DI9405

DI9405SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEFIELD EFFECT TRANSISTORPOWER SEMICONDUCTORFeatures High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current CapabilitySO-8A Fast Switching SpeedDim Min Max High Transient Tolerance8 7 6 5A 3.94 4.19B 3.20 3.40TOPH BC 0.381 0.495VIEWD 2.67 3.055D 4 GE 0.89 1.021 2 3 4D

 9.1. Size:517K  fairchild semi
fdi9406 f085.pdfpdf_icon

DI9405

June 2014FDI9406_F085N-Channel PowerTrench MOSFET40 V, 110 A, 2.2 m DFeatures Typ RDS(on) = 1.73m at VGS = 10V, ID = 80A Typ Qg(tot) = 107nC at VGS = 10V, ID = 80AG UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101TO-262ABSFDI SERIESApplications Automotive Engine ControlForcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchild Powertrai

 9.2. Size:73K  diodes
di9400t.pdfpdf_icon

DI9405

DI9400SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEFIELD EFFECT TRANSISTORFeatures High Cell Density DMOS Technology Lower On-State Resistance High Power and Current CapabilitySO-8A Fast Switching SpeedDim Min Max High Transient Tolerance8 7 6 5A 3.94 4.19B 3.20 3.40TOPH BVIEWC 0.381 0.495D 2.67 3.051 2 3 4E 0.89 1.02GC G 0.527 0.679EJ 0.41 NominalJDK

 9.3. Size:282K  inchange semiconductor
fdi9406.pdfpdf_icon

DI9405

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI9406FEATURESDrain Current I =80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power su pplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXFC80N10 | FDW254P

 

 
Back to Top

 


 
.