DKI03038 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DKI03038 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DKI03038
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DKI03038 даташит
dki03038.pdf
30 V, 48 A, 3.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI03038 Features Package TO-252 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 48 A D RDS(ON) ---------- 4.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 47.2 A) Qg -------- 16.5 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 57 A) Low Total Gat
dki03038.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DKI03038 FEATURES Drain Current I =48A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.2m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
dki03062.pdf
30 V, 48 A, 5.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI03062 Features Package TO-252 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 48 A D RDS(ON) ------------ 6.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 31 A) Qg ------- 9.3 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 39.5 A) Low Total Gat
dki03082.pdf
30 V, 29 A, 7.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI03082 Features Package TO-252 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 29 A D RDS(ON) ------------ 8.8 m max. (VGS = 10 V, ID = 25 A) Qg ------- 7.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 31.5 A) Low Total Gat
Другие IGBT... DK48N18, DK48N75, DK48N78, DK48N80, DK48N88, DK64N90, DK64N90B, DK64N90F, IRFP064N, DKI03062, DKI03082, DKI04035, DKI04046, DKI04077, DKI04103, DKI06075, DKI06108
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p



