DL2M100N5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DL2M100N5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 250 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: 6DM-2
DL2M100N5 Datasheet (PDF)
..1. Size:587K dawin
dl2m100n5.pdf
dl2m100n5.pdf
D WTM D WTM DAWIN Electronics DAWIN Electronics DL2M100N5 Apr. 2008 500V DUAL N-Channel MOSFET Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S Dual power MOSFET devices are designed for switching applications of high voltage and current. (You have to connect external Equivalent Circuit fast recovery diode reverse connected across each MOSFET) The mounting base of the module
Другие MOSFET... DKI04103 , DKI06075 , DKI06108 , DKI06186 , DKI06261 , DKI10299 , DKI10526 , DKI10751 , IRF1404 , DL2M50N5 , DMC1017UPD , DMC1028UFDB , DMC1029UFDB , DMC1030UFDB , DMC1229UFDB , DMC2038LVT , DMC2041UFDB .
