DL2M100N5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DL2M100N5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: 6DM-2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DL2M100N5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DL2M100N5 даташит

 ..1. Size:587K  dawin
 dl2m100n5.pdf pdf_icon

DL2M100N5

D WTM D WTM DAWIN Electronics DAWIN Electronics DL2M100N5 Apr. 2008 500V DUAL N-Channel MOSFET Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S Dual power MOSFET devices are designed for switching applications of high voltage and current. (You have to connect external Equivalent Circuit fast recovery diode reverse connected across each MOSFET) The mounting base of the module

Другие IGBT... DKI04103, DKI06075, DKI06108, DKI06186, DKI06261, DKI10299, DKI10526, DKI10751, IRF1404, DL2M50N5, DMC1017UPD, DMC1028UFDB, DMC1029UFDB, DMC1030UFDB, DMC1229UFDB, DMC2038LVT, DMC2041UFDB