DMC1029UFDB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMC1029UFDB  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: U-DFN2020-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMC1029UFDB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMC1029UFDB даташит

 ..1. Size:307K  diodes
 dmc1029ufdb.pdf pdf_icon

DMC1029UFDB

DMC1029UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 Low Input Capacitance C 29m @ VGS = 4.5V 5.6A Low Profile, 0.6mm Max Height Q1 34m @ VGS = 2.5V 5.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 12V N-Channel 44m @ VGS = 1.8V 4.5A Haloge

 8.1. Size:589K  diodes
 dmc1028ufdb.pdf pdf_icon

DMC1029UFDB

DMC1028UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max Device BVDSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 25m @ VGS = 4.5V 6.0A Low Profile, 0.6mm Max Height Q1 12V 30m @ VGS = 3.3V 5.5A ESD HBM Protected up to 1.5KV, MM Protected up to 150V. N-Channel 32m @ VGS = 2.5V 5.3A Totally Lea

 9.1. Size:446K  diodes
 dmc1017upd.pdf pdf_icon

DMC1029UFDB

DMC1017UPD COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI 5060-8 Product Summary Features and Benefits Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications ID Device V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 17m @ VGS = 4.5V 9.5A Q1 12V Low Input Capacitance 25m @ VGS = 2.5V 7.8A Fas

 9.2. Size:347K  diodes
 dmc1030ufdb.pdf pdf_icon

DMC1029UFDB

DMC1030UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID MAX Low On-Resistance Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 34m @ VGS = 4.5V 5.1A ESD Protected Gate 40m @ VGS = 2.5V 4.7A Q1 12V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) N-Channel 50m @ VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DKI06261, DKI10299, DKI10526, DKI10751, DL2M100N5, DL2M50N5, DMC1017UPD, DMC1028UFDB, IRFP260N, DMC1030UFDB, DMC1229UFDB, DMC2038LVT, DMC2041UFDB, DMC2400UV, DMC25D0UVT, DMC25D1UVT, DMC2700UDM