DMG4N65CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMG4N65CT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMG4N65CT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG4N65CT даташит

 ..1. Size:273K  diodes
 dmg4n65ct.pdf pdf_icon

DMG4N65CT

DMG4N65CT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for power application TC = 25 C Low Input/Output Leakage 650V 3.0 @VGS = 10V TO220-3 4.0 A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 dmg4n65ct.pdf pdf_icon

DMG4N65CT

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG4N65CT FEATURES Drain Current I = 4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 0.1. Size:321K  diodes
 dmg4n65cti.pdf pdf_icon

DMG4N65CT

DMG4N65CTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for power application TC = 25 C Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 650V 3.0 @VGS = 10V ITO220-3 4.0 A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC

 0.2. Size:252K  inchange semiconductor
 dmg4n65cti.pdf pdf_icon

DMG4N65CT

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG4N65CTI FEATURES Drain Current I = 4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMG3413L, DMG3418L, DMG4406LSS, DMG4407SSS, DMG4511SK4, DMG4710SSS, DMG4812SSS, DMG4932LSD, AON6380, DMG4N65CTI, DMG6301UDW, DMG6402LVT, DMG6601LVT, DMG6602SVTQ, DMG7401SFG, DMG7408SFG, DMG7410SFG