Справочник MOSFET. DMG4N65CT

 

DMG4N65CT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG4N65CT
   Маркировка: 4N65CT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG4N65CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  diodes
dmg4n65ct.pdfpdf_icon

DMG4N65CT

DMG4N65CT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for power application TC = 25C Low Input/Output Leakage 650V 3.0@VGS = 10V TO220-3 4.0 A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
dmg4n65ct.pdfpdf_icon

DMG4N65CT

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG4N65CTFEATURESDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 0.1. Size:321K  diodes
dmg4n65cti.pdfpdf_icon

DMG4N65CT

DMG4N65CTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for power application TC = 25C Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 650V 3.0@VGS = 10V ITO220-3 4.0 A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC

 0.2. Size:252K  inchange semiconductor
dmg4n65cti.pdfpdf_icon

DMG4N65CT

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG4N65CTIFEATURESDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FCP104N60F | PSMN6R0-25YLD | IRHF57214SE | GP2M002A060XX | HF25N50 | JCS5N60VB

 

 
Back to Top

 


 
.