Справочник MOSFET. DMG6601LVT

 

DMG6601LVT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG6601LVT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
 

 Аналог (замена) для DMG6601LVT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6601LVT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  diodes
dmg6601lvt.pdfpdf_icon

DMG6601LVT

DMG6601LVTCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Complementary MOSFETDevice V(BR)DSS RDS(ON) max Package TA = +25C Low On-Resistance Low Input Capacitance 55m @ VGS = 10V TSOT26 3.8A Q1 30V Fast Switching Speed 65m @ VGS = 4.5V TSOT26 3.6A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 110m @ VGS =

 8.1. Size:511K  diodes
dmg6602svtq.pdfpdf_icon

DMG6601LVT

DMG6602SVTQ COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antim

 8.2. Size:506K  diodes
dmg6602svt.pdfpdf_icon

DMG6601LVT

DMG6602SVT COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Anti

 8.3. Size:1546K  cn vbsemi
dmg6602s.pdfpdf_icon

DMG6601LVT

DMG6602Swww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at V

Другие MOSFET... DMG4511SK4 , DMG4710SSS , DMG4812SSS , DMG4932LSD , DMG4N65CT , DMG4N65CTI , DMG6301UDW , DMG6402LVT , IRFP250 , DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , DMG9N65CTI .

History: IRF6619 | TPC8301 | RJK5026DPE | DMG6301UDW | 3N70L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.