Справочник MOSFET. DMG9N65CT

 

DMG9N65CT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG9N65CT
   Маркировка: 9N65CT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для DMG9N65CT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG9N65CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  diodes
dmg9n65ct.pdfpdf_icon

DMG9N65CT

DMG9N65CT GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for Power Application TC = +25C Low Input/Output Leakage 650V 1.3 @ VGS = 10V TO-220AB 9.0 A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descripti

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
dmg9n65ct.pdfpdf_icon

DMG9N65CT

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG9N65CTFEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 0.1. Size:407K  diodes
dmg9n65cti.pdfpdf_icon

DMG9N65CT

DMG9N65CTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) Package TC = +25C High BVDss Rating for Power Application 650V 1.3 @ VGS = 10V ITO-220AB 9.0A Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

 0.2. Size:252K  inchange semiconductor
dmg9n65cti.pdfpdf_icon

DMG9N65CT

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG9N65CTIFEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... DMG6402LVT , DMG6601LVT , DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , STF13NM60N , DMG9N65CTI , DMGD7N45SSD , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE , DMN1019USN .

History: IPD082N10N3G | AM40P10-200P

 

 
Back to Top

 


 
.