DMG9N65CT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DMG9N65CT
Маркировка: 9N65CT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для DMG9N65CT
DMG9N65CT Datasheet (PDF)
dmg9n65ct.pdf

DMG9N65CT GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for Power Application TC = +25C Low Input/Output Leakage 650V 1.3 @ VGS = 10V TO-220AB 9.0 A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descripti
dmg9n65ct.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG9N65CTFEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
dmg9n65cti.pdf

DMG9N65CTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) Package TC = +25C High BVDss Rating for Power Application 650V 1.3 @ VGS = 10V ITO-220AB 9.0A Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description
dmg9n65cti.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG9N65CTIFEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... DMG6402LVT , DMG6601LVT , DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , STF13NM60N , DMG9N65CTI , DMGD7N45SSD , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE , DMN1019USN .
History: IPD082N10N3G | AM40P10-200P
History: IPD082N10N3G | AM40P10-200P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733