Справочник MOSFET. SFI9510

 

SFI9510 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFI9510
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для SFI9510

 

 

SFI9510 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  fairchild semi
 sfi9510 sfw9510.pdf

SFI9510 SFI9510

SFW/I9510Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -3.6 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAKn 175oC Operating Temperature2n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Low RDS(ON) : 0.912 (Typ.)112331. Gate

 9.1. Size:228K  fairchild semi
 sfw9520 sfi9520.pdf

SFI9510 SFI9510

SFW/I9520Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -6.0 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAKn 175oC Operating Temperature2n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Low RDS(ON) : 0.444 (Typ.)112331. Gat

 9.2. Size:210K  samsung
 sfi9530.pdf

SFI9510 SFI9510

SFW/I9530Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -10.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.225 (Typ.)112331. Gate 2.

 9.3. Size:503K  samsung
 sfi9540.pdf

SFI9510 SFI9510

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175oC Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.161 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut

 9.4. Size:207K  samsung
 sfi9520.pdf

SFI9510 SFI9510

SFW/I9520Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -6.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.444 (Typ.)112331. Gate 2. D

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top