Справочник MOSFET. SFI9530

 

SFI9530 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFI9530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SFI9530

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFI9530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  samsung
 sfi9530.pdf pdf_icon

SFI9530

SFW/I9530Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -10.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.225 (Typ.)112331. Gate 2.

 9.1. Size:230K  fairchild semi
 sfi9510 sfw9510.pdf pdf_icon

SFI9530

SFW/I9510Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -3.6 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAKn 175oC Operating Temperature2n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Low RDS(ON) : 0.912 (Typ.)112331. Gate

 9.2. Size:228K  fairchild semi
 sfw9520 sfi9520.pdf pdf_icon

SFI9530

SFW/I9520Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -6.0 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAKn 175oC Operating Temperature2n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Low RDS(ON) : 0.444 (Typ.)112331. Gat

 9.3. Size:503K  samsung
 sfi9540.pdf pdf_icon

SFI9530

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175oC Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) : 0.161 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.