Справочник MOSFET. DMN2050LFDB

 

DMN2050LFDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN2050LFDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: U-DFN2020-6
 

 Аналог (замена) для DMN2050LFDB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2050LFDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  diodes
 dmn2050lfdb.pdf pdf_icon

DMN2050LFDB

DMN2050LFDBDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 45m @ VGS = 4.5V 4.5A Low Input/Output Leakage 20V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 55m @ VGS = 2.5V 4.1A Halogen and Antimony Free

 6.1. Size:168K  diodes
 dmn2050l.pdf pdf_icon

DMN2050LFDB

DMN2050LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 29m @VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 50m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 100m

 6.2. Size:152K  tysemi
 dmn2050l.pdf pdf_icon

DMN2050LFDB

Product specificationDMN2050LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 29m @VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 50m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 100m @VGS = 2.0V Terminal Connections

 8.1. Size:327K  diodes
 dmn2056u.pdf pdf_icon

DMN2050LFDB

DMN2056U 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 38m @ VGS = 4.5V 4.0A Fast Switching Speed 20V 45m @ VGS = 2.5V 3.7A Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN2019UTS , DMN2020UFCL , DMN2022UFDF , DMN2023UCB4 , DMN2028UFDH , DMN2029USD , DMN2041UFDB , DMN2046U , IRF640 , DMN2065UW , DMN2075UDW , DMN2104L-7 , DMN2170U-7 , DMN21D2UFB , DMN2250UFB , DMN2300UFD , DMN2300UFL4 .

History: 2SK3648-01 | SVF18NE50PN | 2N7002DSGP | SM454AT9RL | STU35L01HA | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.