DMN2050LFDB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN2050LFDB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: U-DFN2020-6

Аналог (замена) для DMN2050LFDB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2050LFDB даташит

 ..1. Size:231K  diodes
 dmn2050lfdb.pdf pdf_icon

DMN2050LFDB

DMN2050LFDB DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 45m @ VGS = 4.5V 4.5A Low Input/Output Leakage 20V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 55m @ VGS = 2.5V 4.1A Halogen and Antimony Free

 6.1. Size:168K  diodes
 dmn2050l.pdf pdf_icon

DMN2050LFDB

DMN2050L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 29m @VGS = 4.5V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 50m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D 100m

 6.2. Size:152K  tysemi
 dmn2050l.pdf pdf_icon

DMN2050LFDB

Product specification DMN2050L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 29m @VGS = 4.5V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 50m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D 100m @VGS = 2.0V Terminal Connections

 8.1. Size:327K  diodes
 dmn2056u.pdf pdf_icon

DMN2050LFDB

DMN2056U 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 38m @ VGS = 4.5V 4.0A Fast Switching Speed 20V 45m @ VGS = 2.5V 3.7A Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN2019UTS, DMN2020UFCL, DMN2022UFDF, DMN2023UCB4, DMN2028UFDH, DMN2029USD, DMN2041UFDB, DMN2046U, IRFP460, DMN2065UW, DMN2075UDW, DMN2104L-7, DMN2170U-7, DMN21D2UFB, DMN2250UFB, DMN2300UFD, DMN2300UFL4