Справочник MOSFET. DMN21D2UFB

 

DMN21D2UFB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN21D2UFB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.99 Ohm
   Тип корпуса: X1-DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для DMN21D2UFB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN21D2UFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  diodes
 dmn21d2ufb.pdf pdf_icon

DMN21D2UFB

DMN21D2UFB20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance Very low Gate Threshold Voltage, 1.0V max ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 0.99 @ VGS = 4.5V 760mA Ultra-Small Surface Mount Package 1mm x 0.6mm Low Package Profile, 0.5mm Maximum Package height

 9.1. Size:120K  diodes
 dmn2104l-7.pdf pdf_icon

DMN21D2UFB

DMN2104LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 53m @VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 104m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D Low Gat

 9.2. Size:128K  diodes
 dmn2170u-7.pdf pdf_icon

DMN21D2UFB

DMN2170UN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 70m @VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 100m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-

 9.3. Size:111K  diodes
 dmn2100udm.pdf pdf_icon

DMN21D2UFB

DMN2100UDMN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-26 55 m @ VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 70 m @ VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN2029USD , DMN2041UFDB , DMN2046U , DMN2050LFDB , DMN2065UW , DMN2075UDW , DMN2104L-7 , DMN2170U-7 , IRF640N , DMN2250UFB , DMN2300UFD , DMN2300UFL4 , DMN2320UFB4 , DMN2400UFB , DMN2400UFD , DMN24H11DS , DMN24H3D5L .

History: APT901R3BN | IXTT28N50Q | LSGG03R020 | FQP19N20L | KQB2N30 | AP4439GM-HF | IRHMJ57160

 

 
Back to Top

 


 
.