Справочник MOSFET. DMN24H11DS

 

DMN24H11DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN24H11DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 240 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN24H11DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  diodes
dmn24h11ds.pdfpdf_icon

DMN24H11DS

DMN24H11DS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits Product Summary Low Gate Threshold Voltage ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 11 @ VGS = 10V 0.27A 240V Small Surface Mount Package 12 @ VGS = 4.5V 0.26A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony

 8.1. Size:280K  diodes
dmn24h3d5l.pdfpdf_icon

DMN24H11DS

DMN24H3D5L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = +25C 3.5 @ VGS = 10V 0.48A Fast Switching Speed 240V 0.48A 3.5 @ VGS = 4.5V Small Surface Mount Package 6.0 @ VGS = 3.3V 0.37A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 9.1. Size:151K  diodes
dmn2400uv.pdfpdf_icon

DMN24H11DS

DMN2400UVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-563 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals: Finish Ma

 9.2. Size:374K  diodes
dmn2400ufb.pdfpdf_icon

DMN24H11DS

DMN2400UFB N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 0.55 @ VGS = 4.5V 0.75A Fast Switching Speed 20V 0.75 @ VGS = 2.5V 0.63A Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package ESD Protect

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: R6030MNX | SDF120JDA-D | KNB1906A | DG840 | FDPF8N50NZU | IRLU3715 | IXTA200N055T2

 

 
Back to Top

 


 
.