DMN24H11DS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN24H11DS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 240 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для DMN24H11DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN24H11DS даташит

 ..1. Size:380K  diodes
 dmn24h11ds.pdf pdf_icon

DMN24H11DS

DMN24H11DS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits Product Summary Low Gate Threshold Voltage ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 11 @ VGS = 10V 0.27A 240V Small Surface Mount Package 12 @ VGS = 4.5V 0.26A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony

 8.1. Size:280K  diodes
 dmn24h3d5l.pdf pdf_icon

DMN24H11DS

DMN24H3D5L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = +25 C 3.5 @ VGS = 10V 0.48A Fast Switching Speed 240V 0.48A 3.5 @ VGS = 4.5V Small Surface Mount Package 6.0 @ VGS = 3.3V 0.37A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 9.1. Size:151K  diodes
 dmn2400uv.pdf pdf_icon

DMN24H11DS

DMN2400UV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-563 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals Finish Ma

 9.2. Size:374K  diodes
 dmn2400ufb.pdf pdf_icon

DMN24H11DS

DMN2400UFB N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 0.55 @ VGS = 4.5V 0.75A Fast Switching Speed 20V 0.75 @ VGS = 2.5V 0.63A Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package ESD Protect

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN2170U-7, DMN21D2UFB, DMN2250UFB, DMN2300UFD, DMN2300UFL4, DMN2320UFB4, DMN2400UFB, DMN2400UFD, AON6414A, DMN24H3D5L, DMN2500UFB4, DMN2501UFB4, DMN2550UFA, DMN25D0UFA, DMN2990UFA, DMN2990UFZ, DMN3008SFG