DMN2550UFA
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN2550UFA
Маркировка: R1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.6
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 0.88
nC
trⓘ -
Время нарастания: 11
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6.3
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45
Ohm
Тип корпуса: X2-DFN0806-3
Аналог (замена) для DMN2550UFA
DMN2550UFA
Datasheet (PDF)
..1. Size:278K diodes
dmn2550ufa.pdf 
DMN2550UFA20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height ID max V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25C 0.45 @ VGS = 4.5V Low On-Resistance0.55 @ VGS = 2.5V Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max 20V 0.6 A 0.75 @ VG
9.1. Size:570K diodes
dmn2501ufb4.pdf 
DMN2501UFB4 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V Max. TA = +25C Low Input Capacitance 0.4 @ VGS = 4.5V 1.5A Fast Switching Speed 20V 0.5 @ VGS = 2.5V 1.3A Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 1.1A
9.2. Size:124K diodes
dmn2500ufb4.pdf 
DMN2500UFB4N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 0.4 @ VGS = 4.5V 1A 20V Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 0.8A Ultra-low package profile, 0.4mm max
9.3. Size:279K diodes
dmn25d0ufa.pdf 
DMN25D0UFA25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 0.4mm ultra low profile package for thin application V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 Low VGS(th), can be driven directly from a battery 4 @ VGS = 4.5V 0.32A 25V Low RDS(on) 5 @ VGS = 2.7V 0.28A ESD Protected Gate (>6kV Hu
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
