DMN3010LK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN3010LK3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для DMN3010LK3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3010LK3 даташит

 ..1. Size:276K  diodes
 dmn3010lk3.pdf pdf_icon

DMN3010LK3

DMN3010LK3 Green N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C Small form factor thermally efficient package enables higher 9.5m @ VGS = 10V 43A density end products 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 39A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 dmn3010lk3.pdf pdf_icon

DMN3010LK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN3010LK3 FEATURES Drain Current I = 43A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

 6.1. Size:426K  1
 dmn3010lfg-7.pdf pdf_icon

DMN3010LK3

DMN3010LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products 8.5m @ VGS = 10V 30A 30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 10.5m @ VGS = 4.5V 25A

 6.2. Size:426K  diodes
 dmn3010lfg.pdf pdf_icon

DMN3010LK3

DMN3010LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products 8.5m @ VGS = 10V 30A 30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 10.5m @ VGS = 4.5V 25A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN2500UFB4, DMN2501UFB4, DMN2550UFA, DMN25D0UFA, DMN2990UFA, DMN2990UFZ, DMN3008SFG, DMN3010LFG, 2SK3878, DMN3015LSD, DMN3016LDN, DMN3016LFDE, DMN3016LK3, DMN3016LPS, DMN3016LSS, DMN3018SFG, DMN3018SSD