DMN3016LDN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN3016LDN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: V-DFN3030-8

Аналог (замена) для DMN3016LDN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3016LDN даташит

 ..1. Size:366K  diodes
 dmn3016ldn.pdf pdf_icon

DMN3016LDN

DMN3016LDN 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 20m @ VGS = 10V 7.3A Fast Switching Speed N-Channel 30V 6.7A 24m @ VGS = 4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Dev

 6.1. Size:394K  1
 dmn3016lps-13.pdf pdf_icon

DMN3016LDN

DMN3016LPS 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Fast Switching Speed 12m @ VGS = 10V 10.8A

 6.2. Size:347K  diodes
 dmn3016lps.pdf pdf_icon

DMN3016LDN

DMN3016LPS 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Fast Switching Speed 12m @ VGS = 10V 10.8A

 6.3. Size:266K  diodes
 dmn3016lfde.pdf pdf_icon

DMN3016LDN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN2550UFA, DMN25D0UFA, DMN2990UFA, DMN2990UFZ, DMN3008SFG, DMN3010LFG, DMN3010LK3, DMN3015LSD, 2N7002, DMN3016LFDE, DMN3016LK3, DMN3016LPS, DMN3016LSS, DMN3018SFG, DMN3018SSD, DMN3018SSS-13, DMN3024SFG