DMN3016LSS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN3016LSS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для DMN3016LSS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3016LSS даташит

 ..1. Size:286K  diodes
 dmn3016lss.pdf pdf_icon

DMN3016LSS

DMN3016LSS 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = 25 C 12m @ VGS = 10V 10.3 A Fast Switching Speed 30V 9.3 A 16m @ VGS = 4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3

 6.1. Size:394K  1
 dmn3016lps-13.pdf pdf_icon

DMN3016LSS

DMN3016LPS 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Fast Switching Speed 12m @ VGS = 10V 10.8A

 6.2. Size:347K  diodes
 dmn3016lps.pdf pdf_icon

DMN3016LSS

DMN3016LPS 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Fast Switching Speed 12m @ VGS = 10V 10.8A

 6.3. Size:266K  diodes
 dmn3016lfde.pdf pdf_icon

DMN3016LSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN3008SFG, DMN3010LFG, DMN3010LK3, DMN3015LSD, DMN3016LDN, DMN3016LFDE, DMN3016LK3, DMN3016LPS, AO3401, DMN3018SFG, DMN3018SSD, DMN3018SSS-13, DMN3024SFG, DMN3025LFG, DMN3025LSS, DMN3026LVT, DMN3029LFG